IPD600N25N3 G Infineon Technologies
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Technische Details IPD600N25N3 G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 25A; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 250V, Drain current: 25A, Case: DPAK, On-state resistance: 60mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 22nC.
Weitere Produktangebote IPD600N25N3 G nach Preis ab 3.95 EUR bis 5.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPD600N25N3 G | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD600N25N3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 25A; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 250V Drain current: 25A Case: DPAK On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 22nC |
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Mindestbestellmenge: 22 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD600N25N3 G |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 33+ | 5.3 EUR |
| 50+ | 5.02 EUR |
| 100+ | 4.75 EUR |
| 250+ | 4.5 EUR |
| 500+ | 4.31 EUR |
| 1000+ | 4.14 EUR |
| 2500+ | 3.95 EUR |
| IPD600N25N3 G |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 25A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Case: DPAK
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 25A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Case: DPAK
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
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