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IPD60R145CFD7ATMA1

IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R145CFD7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635ebca8052a8d
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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5000+2.3 EUR
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Technische Details IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm.

Weitere Produktangebote IPD60R145CFD7ATMA1 nach Preis ab 2.18 EUR bis 8.04 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd60r145cfd7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd60r145cfd7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 765 Stücke:
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IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 INFINEON 2643869.pdf Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.17 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd60r145cfd7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+3.37 EUR
500+3 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
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auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+4.18 EUR
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auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.71 EUR
45+3.89 EUR
100+2.95 EUR
500+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.71 EUR
45+3.81 EUR
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500+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd60r145cfd7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.08 EUR
44+3.7 EUR
100+2.7 EUR
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500+2.37 EUR
1000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.08 EUR
44+3.84 EUR
100+2.86 EUR
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auf Bestellung 3166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.38 EUR
10+4.82 EUR
100+3.47 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.75 EUR
2500+2.51 EUR
5000+2.4 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
auf Bestellung 18240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.39 EUR
10+4.86 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8.04 EUR
48+4.88 EUR
100+3.17 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 765 Stücke:
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auf Bestellung 765 Stücke:
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.17 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD60R145CFD7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
194+3.37 EUR
500+3 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
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IPD60R145CFD7ATMA1
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Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+5.71 EUR
45+3.89 EUR
100+2.95 EUR
500+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+5.71 EUR
45+3.81 EUR
100+2.84 EUR
500+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+6.08 EUR
44+3.7 EUR
100+2.7 EUR
250+2.56 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+6.08 EUR
44+3.84 EUR
100+2.86 EUR
250+2.77 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.48 EUR
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MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 3166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+4.82 EUR
100+3.47 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.75 EUR
2500+2.51 EUR
5000+2.4 EUR
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Description: MOSFET N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
auf Bestellung 18240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.39 EUR
10+4.86 EUR
100+3.39 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
auf Bestellung 567 Stücke:
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32+8.04 EUR
48+4.88 EUR
100+3.17 EUR
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IPD60R145CFD7ATMA1 infineonipd60r145cfd7datasheetv0202en.pdf
IPD60R145CFD7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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