IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 2.02 EUR |
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Technische Details IPD60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPD60R145CFD7ATMA1 nach Preis ab 2.17 EUR bis 5.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IPD60R145CFD7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R145CFD7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R145CFD7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R145CFD7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R145CFD7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V |
auf Bestellung 3035 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD60R145CFD7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD60R145CFD7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R145CFD7ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R145CFD7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD60R145CFD7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD60R145CFD7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD60R145CFD7ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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