IPD60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 32+ | 2.69 EUR |
| 50+ | 1.71 EUR |
| 56+ | 1.54 EUR |
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Technische Details IPD60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 0.28Ω, Mounting: SMD, Power dissipation: 53W, Gate charge: 18nC, Polarisation: unipolar, Version: ESD, Technology: CoolMOS™ P7, Drain current: 8A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V, Gate-source voltage: ±20V, Case: PG-TO252-3.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IPD60R280P7 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD60R280P7 |
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Hersteller: Infineon Technologies
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