Technische Details IPD60R280P7SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPD60R280P7SAUMA1 nach Preis ab 0.61 EUR bis 3.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPD60R280P7SAUMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R280P7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R280P7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R280P7SAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R280P7SAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R280P7SAUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R280P7SAUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.67 EUR |
| 5000+ | 0.61 EUR |
| IPD60R280P7SAUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 647+ | 1.01 EUR |
| 1000+ | 0.92 EUR |
| IPD60R280P7SAUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 2.49 EUR |
| 105+ | 1.64 EUR |
| 200+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| 1000+ | 1.02 EUR |
| IPD60R280P7SAUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 3 - 168 Stunden
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Produktpalette: CoolMOS P7
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 73+ | 3.45 EUR |
| 109+ | 2.14 EUR |
| 159+ | 1.34 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| 1000+ | 0.96 EUR |
| IPD60R280P7SAUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.45 EUR |
| 109+ | 2.14 EUR |
| 159+ | 1.34 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| 1000+ | 0.96 EUR |
| IPD60R280P7SAUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.5 EUR |
| 10+ | 2.2 EUR |
| 100+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.01 EUR |
| 2500+ | 0.87 EUR |