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IPD60R600P7ATMA1

IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd60r600p7-datasheet-v02_09-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 30W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7-datasheet-v02_09-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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683+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 683 Stücke
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IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7-datasheet-v02_09-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2500+1.13 EUR
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2500+1.19 EUR
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IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7-datasheet-v02_09-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.84 EUR
102+1.69 EUR
138+1.21 EUR
200+1.12 EUR
500+0.99 EUR
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r600p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
auf Bestellung 4288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
11+2.02 EUR
100+1.36 EUR
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R600P7_DataSheet_v02_09_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
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2+3.31 EUR
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100+1.33 EUR
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5000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 INFINEON 2362699.pdf Description: INFINEON - IPD60R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.12 EUR
103+2.27 EUR
150+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 INFINEON 2362699.pdf Description: INFINEON - IPD60R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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103+2.27 EUR
150+1.44 EUR
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IPD60R600P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
683+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 683 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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95+1.84 EUR
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138+1.21 EUR
200+1.12 EUR
500+0.99 EUR
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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IPD60R600P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
auf Bestellung 4288 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
7+3.2 EUR
11+2.02 EUR
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500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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1000+0.96 EUR
2500+0.89 EUR
5000+0.8 EUR
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IPD60R600P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
61+4.12 EUR
103+2.27 EUR
150+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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Description: INFINEON - IPD60R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.12 EUR
103+2.27 EUR
150+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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