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IPD65R400CEAUMA1

IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies

124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 118W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.61 EUR
289+0.58 EUR
293+0.55 EUR
298+0.52 EUR
303+0.49 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
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IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1058 Stücke:
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289+0.61 EUR
293+0.58 EUR
298+0.56 EUR
303+0.55 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
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IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67 Description: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.81 EUR
5000+0.75 EUR
7500+0.73 EUR
12500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.89 EUR
10000+0.8 EUR
15000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 INFINEON 2354545.pdf Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+2.8 EUR
139+1.68 EUR
191+1.12 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 INFINEON 2354545.pdf Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.8 EUR
139+1.68 EUR
191+1.12 EUR
500+0.99 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67 Description: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
auf Bestellung 15243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.01 EUR
12+1.9 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD65R400CE_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 3001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+2.24 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.99 EUR
2500+0.9 EUR
5000+0.8 EUR
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IPD65R400CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD65R400CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
285+0.61 EUR
289+0.58 EUR
293+0.55 EUR
298+0.52 EUR
303+0.49 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
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IPD65R400CEAUMA1
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Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
289+0.61 EUR
293+0.58 EUR
298+0.56 EUR
303+0.55 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
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IPD65R400CEAUMA1 Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67
IPD65R400CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.81 EUR
5000+0.75 EUR
7500+0.73 EUR
12500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD65R400CEAUMA1 124infineon-ips65r400ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf
IPD65R400CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.89 EUR
10000+0.8 EUR
15000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPD65R400CEAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
90+2.8 EUR
139+1.68 EUR
191+1.12 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPD65R400CEAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.8 EUR
139+1.68 EUR
191+1.12 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R400CEAUMA1 Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67
IPD65R400CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
auf Bestellung 15243 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
7+3.01 EUR
12+1.9 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IPD65R400CEAUMA1 Infineon_IPD65R400CE_DS_v02_00_EN.pdf
IPD65R400CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 3001 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+3.62 EUR
10+2.24 EUR
100+1.48 EUR
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1000+0.99 EUR
2500+0.9 EUR
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