IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
auf Bestellung 80000 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.65 EUR |
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Technische Details IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 118W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPD65R400CEAUMA1 nach Preis ab 0.61 EUR bis 2.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IPD65R400CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD65R400CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD65R400CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD65R400CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 347500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD65R400CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD65R400CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD65R400CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD65R400CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
auf Bestellung 2635 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD65R400CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 118W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V |
auf Bestellung 81304 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD65R400CEAUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 118W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2318 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD65R400CEAUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 118W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1887 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD65R400CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD65R400CEAUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD65R400CEAUMA1 SMD N channel transistors |
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