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IPD65R600E6ATMA1

IPD65R600E6ATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

INFNS28015-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD65R600E6ATMA1 - IPD65R600 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Technische Details IPD65R600E6ATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 63W, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 INFINEON fundamentals-of-power-semiconductors Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 INFINEON fundamentals-of-power-semiconductors Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
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IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD65R600E6-DataSheet-v02_04-EN-1227052.pdf MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2
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IPD65R600E6ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPD65R600E6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IPD65R600E6ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPD65R600E6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 2466 Stücke:
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59+4.3 EUR
80+2.93 EUR
111+1.94 EUR
500+1.43 EUR
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IPD65R600E6ATMA1 Infineon-IPD65R600E6-DataSheet-v02_04-EN-1227052.pdf
IPD65R600E6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2
auf Bestellung 2464 Stücke:
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