Produkte > ROCHESTER ELECTRONICS > IPD65R600E6ATMA1
IPD65R600E6ATMA1

IPD65R600E6ATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

INFNS28015-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD65R600E6ATMA1 - IPD65R600 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 37917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
354+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 354 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPD65R600E6ATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Weitere Produktangebote IPD65R600E6ATMA1 nach Preis ab 1.39 EUR bis 4.2 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 INFINEON fundamentals-of-power-semiconductors Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.2 EUR
86+2.71 EUR
111+1.94 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 INFINEON fundamentals-of-power-semiconductors Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.2 EUR
86+2.71 EUR
111+1.94 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD65R600E6-DataSheet-v02_04-EN-1227052.pdf MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R600E6ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPD65R600E6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+4.2 EUR
86+2.71 EUR
111+1.94 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R600E6ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPD65R600E6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+4.2 EUR
86+2.71 EUR
111+1.94 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R600E6ATMA1 Infineon-IPD65R600E6-DataSheet-v02_04-EN-1227052.pdf
IPD65R600E6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH