IPD70N10S3-12 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 4.45 EUR |
| 50+ | 4.22 EUR |
| 100+ | 3.99 EUR |
| 250+ | 3.78 EUR |
| 500+ | 3.62 EUR |
| 1000+ | 3.47 EUR |
| 2500+ | 3.32 EUR |
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Technische Details IPD70N10S3-12 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 70A; Idm: 280A; 125W; DPAK3, Pulsed drain current: 280A, Power dissipation: 125W, Gate charge: 51nC, Drain current: 70A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Application: automotive industry, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Case: DPAK3, On-state resistance: 11.1mΩ, Mounting: SMD.
Weitere Produktangebote IPD70N10S3-12 nach Preis ab 1.98 EUR bis 5.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPD70N10S3-12 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T |
auf Bestellung 1352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD70N10S3-12 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 70A; Idm: 280A; 125W; DPAK3 Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 125W Gate charge: 51nC Drain current: 70A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: DPAK3 On-state resistance: 11.1mΩ Mounting: SMD |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 28 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD70N10S3-12 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T
MOSFETs N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T
auf Bestellung 1352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.99 EUR |
| 10+ | 3 EUR |
| 100+ | 2.7 EUR |
| 500+ | 2.18 EUR |
| 1000+ | 2.15 EUR |
| 2500+ | 1.98 EUR |
| IPD70N10S3-12 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 70A; Idm: 280A; 125W; DPAK3
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 51nC
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK3
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 70A; Idm: 280A; 125W; DPAK3
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 51nC
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK3
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: SMD
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