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IPD70P04P409ATMA2

IPD70P04P409ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD70P04P4_09-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9c0b0b5c51
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details IPD70P04P409ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD70P04P409ATMA2 IPD70P04P409ATMA2 Infineon Technologies ipd70p04p4-09_ds_10.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8072 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
439+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 439 Stücke
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IPD70P04P409ATMA2 IPD70P04P409ATMA2 Infineon Technologies ipd70p04p4-09_ds_10.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2245 Stücke:
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IPD70P04P409ATMA2 IPD70P04P409ATMA2 Infineon Technologies ipd70p04p4-09_ds_10.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.61 EUR
114+1.51 EUR
149+1.13 EUR
200+1.07 EUR
2000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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IPD70P04P409ATMA2 IPD70P04P409ATMA2 INFINEON INFNS15023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.44 EUR
131+1.64 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD70P04P409ATMA2 IPD70P04P409ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD70P04P4_09-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9c0b0b5c51 Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.67 EUR
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IPD70P04P409ATMA2 IPD70P04P409ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD70P04P4_09_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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2500+1.14 EUR
5000+1.08 EUR
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IPD70P04P409ATMA2 IPD70P04P409ATMA2 INFINEON INFNS15023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7984 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8072 Stücke:
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IPD70P04P409ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPD70P04P409ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.67 EUR
10+2.33 EUR
100+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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AnzahlPrivatkunde
1+3.92 EUR
10+2.49 EUR
100+1.68 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.21 EUR
2500+1.14 EUR
5000+1.08 EUR
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IPD70P04P409ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7984 Stücke:
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64+3.95 EUR
96+2.44 EUR
131+1.64 EUR
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