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IPD70R600P7S Infineon


Hersteller: Infineon

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Technische Details IPD70R600P7S Infineon

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 5A, Power dissipation: 43.1W, Case: PG-TO252-3, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 0.6Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD70R600P7S IPD70R600P7S Infineon / IR Infineon_IPD70R600P7S_DataSheet_v02_02_EN-3362635.pdf MOSFETs CONSUMER
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IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R600P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43.1W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD70R600P7S Infineon_IPD70R600P7S_DataSheet_v02_02_EN-3362635.pdf
IPD70R600P7S
Hersteller: Infineon / IR
MOSFETs CONSUMER
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IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7S.pdf
IPD70R600P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43.1W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
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