IPD70R900P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30.5W
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±16V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 1.23 EUR |
| 117+ | 0.74 EUR |
| 164+ | 0.52 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
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Technische Details IPD70R900P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 3.5A, Power dissipation: 30.5W, Case: PG-TO252-3, On-state resistance: 0.9Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Technology: CoolMOS™, Gate-source voltage: ±16V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD70R900P7S | Infineon |
auf Bestellung 147500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD70R900P7S |
Hersteller: Infineon
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)