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IPD80R1K4CEATMA1

IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPX80R1K4CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402f3b471926eb
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
auf Bestellung 2486 Stücke:
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AnzahlPreis
8+2.29 EUR
12+1.53 EUR
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Technische Details IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote IPD80R1K4CEATMA1 nach Preis ab 0.83 EUR bis 2.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPD80R1K4CEATMA1 IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPX80R1K4CE_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs N-Ch 800V 3.9A DPAK-2
auf Bestellung 1780 Stücke:
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10+1.61 EUR
25+1.51 EUR
100+1.14 EUR
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IPD80R1K4CEATMA1 IPD80R1K4CEATMA1 INFINEON Infineon-IPX80R1K4CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402f3b471926eb Description: INFINEON - IPD80R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
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MOSFETs N-Ch 800V 3.9A DPAK-2
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AnzahlPreis
2+2.45 EUR
10+1.61 EUR
25+1.51 EUR
100+1.14 EUR
250+1.1 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
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IPD80R1K4CEATMA1 Infineon-IPX80R1K4CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402f3b471926eb
IPD80R1K4CEATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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