IPD80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPD80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 2.7A, Power dissipation: 32W, Case: PG-TO252-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.4Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.
Weitere Produktangebote IPD80R1K4P7ATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
IPD80R1K4P7 | Rochester Electronics, LLC |
Description: 800V, 1.4OHM, N-CHANNEL MOSFET, |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 464 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD80R1K4P7 |
![]() |
Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: 800V, 1.4OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Description: 800V, 1.4OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 464 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


