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IPD80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IPD80R1K4P7.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Technische Details IPD80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 2.7A, Power dissipation: 32W, Case: PG-TO252-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.4Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD80R1K4P7 IPD80R1K4P7 Rochester Electronics, LLC INFN-S-A0004583431-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 800V, 1.4OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 464 Stücke
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IPD80R1K4P7 INFN-S-A0004583431-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: 800V, 1.4OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Produkt ist nicht verfügbar
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