Technische Details IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 101W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPD80R280P7ATMA1 nach Preis ab 2.03 EUR bis 6.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 8130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R280P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7256 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
auf Bestellung 5622 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD80R280P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R280P7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 2.03 EUR |
| IPD80R280P7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 63+ | 2.78 EUR |
| 68+ | 2.55 EUR |
| IPD80R280P7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 203+ | 3.21 EUR |
| 500+ | 3 EUR |
| 1000+ | 2.78 EUR |
| IPD80R280P7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 203+ | 3.21 EUR |
| 500+ | 3 EUR |
| 1000+ | 2.78 EUR |
| IPD80R280P7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 3.31 EUR |
| 61+ | 2.76 EUR |
| IPD80R280P7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 3.31 EUR |
| 61+ | 2.82 EUR |
| IPD80R280P7ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.32 EUR |
| 500+ | 2.89 EUR |
| 1000+ | 2.83 EUR |
| IPD80R280P7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 5.27 EUR |
| IPD80R280P7ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 5622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.9 EUR |
| 10+ | 4.13 EUR |
| 100+ | 3.06 EUR |
| 500+ | 2.67 EUR |
| 1000+ | 2.51 EUR |
| 2500+ | 2.31 EUR |
| 10000+ | 2.24 EUR |
| IPD80R280P7ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 6.84 EUR |
| 52+ | 4.47 EUR |
| 100+ | 3 EUR |
| 500+ | 2.62 EUR |
| 1000+ | 2.57 EUR |