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IPD80R280P7ATMA1

IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd80r280p7-datasheet-v02_02-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 101W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r280p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155da39b3dc5a9b Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2500+2.37 EUR
5000+2.3 EUR
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IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r280p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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63+2.78 EUR
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auf Bestellung 2264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+3.21 EUR
500+3 EUR
1000+2.78 EUR
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IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r280p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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203+3.21 EUR
500+3 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
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53+3.31 EUR
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IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r280p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.31 EUR
61+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002379876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7256 Stücke:
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100+3.32 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.83 EUR
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2500+5.27 EUR
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auf Bestellung 5622 Stücke:
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1+5.9 EUR
10+4.13 EUR
100+3.06 EUR
500+2.67 EUR
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2500+2.31 EUR
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IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002379876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7171 Stücke:
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37+6.84 EUR
52+4.47 EUR
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IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155da39b3dc5a9b Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
auf Bestellung 5906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.39 EUR
10+4.86 EUR
100+3.4 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPD80R280P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD80R280P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2500+2.37 EUR
5000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD80R280P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+2.78 EUR
68+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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IPD80R280P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2264 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
203+3.21 EUR
500+3 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
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IPD80R280P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
203+3.21 EUR
500+3 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
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IPD80R280P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+3.31 EUR
61+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IPD80R280P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+3.31 EUR
61+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R280P7ATMA1 INFN-S-A0002379876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD80R280P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.32 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R280P7ATMA1 Infineon_IPD80R280P7_DataSheet_v02_02_EN-3362382.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 5622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.9 EUR
10+4.13 EUR
100+3.06 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.51 EUR
2500+2.31 EUR
10000+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPD80R280P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7171 Stücke:
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37+6.84 EUR
52+4.47 EUR
100+3 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD80R280P7ATMA1 Infineon-IPD80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155da39b3dc5a9b
IPD80R280P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
auf Bestellung 5906 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+7.39 EUR
10+4.86 EUR
100+3.4 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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