IPD80R900P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 2.28 EUR |
| 58+ | 1.48 EUR |
| 68+ | 1.26 EUR |
| 82+ | 1.05 EUR |
| 100+ | 1 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
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Technische Details IPD80R900P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 3.9A, Power dissipation: 45W, Case: PG-TO252-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.9Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 15nC, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD80R900P7 | Infineon |
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auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD80R900P7 |
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