IPD90N03S4L-02 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.57 EUR |
| 10+ | 2.48 EUR |
| 100+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.77 EUR |
| 1000+ | 1.56 EUR |
| 2500+ | 1.48 EUR |
| 5000+ | 1.43 EUR |
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Technische Details IPD90N03S4L-02 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 90A, Power dissipation: 136W, Case: PG-TO252-3, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 2.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 110nC, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ T2.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD90N03S4L02 | INFINEON |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD90N03S4L02 |
Hersteller: INFINEON
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)