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IPD90N04S404ATMA1

IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD90N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87&ack=t
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 71W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm.

Weitere Produktangebote IPD90N04S404ATMA1 nach Preis ab 0.75 EUR bis 2.46 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.81 EUR
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IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
668+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 668 Stücke
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IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s404dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
668+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 668 Stücke
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IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD90N04S404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 81A
Power dissipation: 71W
Pulsed drain current: 360A
Technology: OptiMOS™ T2
Gate charge: 20nC
auf Bestellung 2254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.57 EUR
59+1.23 EUR
67+1.07 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD90N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.46 EUR
12+1.56 EUR
100+1.04 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 INFINEON INFNS15027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 57274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 INFINEON INFNS15027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 57274 Stücke:
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IPD90N04S404ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
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IPD90N04S404ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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668+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 668 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 972 Stücke:
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IPD90N04S404ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 81A
Power dissipation: 71W
Pulsed drain current: 360A
Technology: OptiMOS™ T2
Gate charge: 20nC
auf Bestellung 2254 Stücke:
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AnzahlPreis
46+1.57 EUR
59+1.23 EUR
67+1.07 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IPD90N04S404ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87&ack=t
IPD90N04S404ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
8+2.46 EUR
12+1.56 EUR
100+1.04 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IPD90N04S404ATMA1 INFNS15027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N04S404ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 57274 Stücke:
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IPD90N04S404ATMA1 INFNS15027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N04S404ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 57274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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