IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.7 EUR |
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Technische Details IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPD90N04S404ATMA1 nach Preis ab 0.71 EUR bis 2.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IPD90N04S404ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N04S404ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N04S404ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N04S404ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N04S404ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ T2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 81A Power dissipation: 71W Case: PG-TO252-3-313 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Pulsed drain current: 360A Gate charge: 20nC |
auf Bestellung 2254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N04S404ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 4173 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD90N04S404ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 57274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N04S404ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 57274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N04S404ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
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IPD90N04S40-4ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V |
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