IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.002 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPD90N04S402ATMA1 nach Preis ab 0.93 EUR bis 3.92 EUR
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IPD90N04S402ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD90N04S402ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD90N04S402ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD90N04S402ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD90N04S402ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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IPD90N04S402ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.002 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPD90N04S402ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.002 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPD90N04S402ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD90N04S402ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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