IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPD90N04S402ATMA1 nach Preis ab 0.66 EUR bis 3.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPD90N04S402ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N04S402ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N04S402ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N04S402ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 4930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N04S402ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 4930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N04S402ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 538 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N04S402ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N04S402ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD90N04S402ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 14640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IPD90N04S402ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 14640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD90N04S402ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 1.01 EUR |
| IPD90N04S402ATMA1 |
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 128+ | 1.15 EUR |
| 129+ | 1.12 EUR |
| 130+ | 1.08 EUR |
| 145+ | 0.96 EUR |
| 250+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.85 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
| IPD90N04S402ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 115+ | 1.28 EUR |
| 128+ | 1.11 EUR |
| 129+ | 1.05 EUR |
| 130+ | 1 EUR |
| 145+ | 0.87 EUR |
| 250+ | 0.82 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| 1000+ | 0.66 EUR |
| IPD90N04S402ATMA1 |
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 106+ | 1.39 EUR |
| 107+ | 1.35 EUR |
| 108+ | 1.31 EUR |
| 250+ | 1.26 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| 1000+ | 1.19 EUR |
| 3000+ | 1.15 EUR |
| IPD90N04S402ATMA1 |
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auf Bestellung 4930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 105+ | 1.4 EUR |
| 106+ | 1.34 EUR |
| 107+ | 1.27 EUR |
| 108+ | 1.21 EUR |
| 250+ | 1.15 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| 1000+ | 1.03 EUR |
| 3000+ | 1.01 EUR |
| IPD90N04S402ATMA1 |
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auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 330+ | 1.66 EUR |
| 500+ | 1.48 EUR |
| IPD90N04S402ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 330+ | 1.66 EUR |
| 500+ | 1.48 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
| IPD90N04S402ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 3.84 EUR |
| 10+ | 2.46 EUR |
| 100+ | 1.68 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
| 1000+ | 1.23 EUR |
| IPD90N04S402ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPD90N04S402ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)