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IPD90N06S404ATMA2 Infineon Technologies


infineonipd90n06s404dsv0102en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPD90N06S404ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s404dsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Infineon Technologies INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s404dsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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124+1.4 EUR
125+1.38 EUR
126+1.33 EUR
250+1.3 EUR
500+1.27 EUR
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Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s404dsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s404dsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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10000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 286 Stücke
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IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s404dsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s404dsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 INFINEON INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPD90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD90N06S4_04_DS_v01_02_en.pdf MOSFETs MOSFET
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IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Infineon Technologies INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.71 EUR
10+3.05 EUR
100+2.08 EUR
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IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 INFINEON INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPD90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4681 Stücke:
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IPD90N06S404ATMA2 INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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124+1.4 EUR
125+1.38 EUR
126+1.33 EUR
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IPD90N06S404ATMA2 infineonipd90n06s404dsv0102en.pdf
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Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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123+1.42 EUR
124+1.36 EUR
125+1.3 EUR
126+1.24 EUR
250+1.18 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
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auf Bestellung 1780 Stücke:
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286+2.28 EUR
500+2.02 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 47500 Stücke:
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286+2.28 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.83 EUR
10000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 286 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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286+2.28 EUR
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 286 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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286+2.28 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 286 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.31 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD90N06S404ATMA2 Infineon_IPD90N06S4_04_DS_v01_02_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 2248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.17 EUR
10+1.8 EUR
100+1.7 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.58 EUR
2500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPD90N06S404ATMA2 INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7948 Stücke:
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5+4.71 EUR
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100+2.08 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.09 EUR
64+3.67 EUR
100+2.31 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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Hersteller: Infineon
auf Bestellung 32500 Stücke:
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