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IPD90N06S405ATMA2

IPD90N06S405ATMA2 Infineon Technologies

INFNS14108-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details IPD90N06S405ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N06S405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 107W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm.

Weitere Produktangebote IPD90N06S405ATMA2 nach Preis ab 1.24 EUR bis 4.55 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD90N06S405ATMA2 IPD90N06S405ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s405dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
373+1.75 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
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IPD90N06S405ATMA2 IPD90N06S405ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s405dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
373+1.75 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
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IPD90N06S405ATMA2 IPD90N06S405ATMA2 INFINEON INFNS14108-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPD90N06S405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.88 EUR
115+1.88 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD90N06S405ATMA2 IPD90N06S405ATMA2 INFINEON INFNS14108-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPD90N06S405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.3 EUR
81+2.88 EUR
115+1.88 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IPD90N06S405ATMA2 IPD90N06S405ATMA2 Infineon Technologies INFNS14108-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.32 EUR
10+2.76 EUR
100+1.87 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPD90N06S405ATMA2 IPD90N06S405ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90N06S4_05-DS-v01_00-en.pdf MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 13841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.55 EUR
10+2.76 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.38 EUR
2500+1.24 EUR
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IPD90N06S405ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 373 Stücke
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IPD90N06S405ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1860 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
373+1.75 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
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IPD90N06S405ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.88 EUR
115+1.88 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD90N06S405ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+4.3 EUR
81+2.88 EUR
115+1.88 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MOSFETs MOSFET
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1+4.55 EUR
10+2.76 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.38 EUR
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