IPD90N08S405ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2500+ | 2.09 EUR |
| 5000+ | 2.01 EUR |
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Technische Details IPD90N08S405ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD90N08S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 144W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm.
Weitere Produktangebote IPD90N08S405ATMA1 nach Preis ab 2.06 EUR bis 4.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPD90N08S405ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-CHANNEL 75/80V |
auf Bestellung 2215 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD90N08S405ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 6999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD90N08S405ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90N08S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm |
auf Bestellung 6095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N08S405ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90N08S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 144W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm |
auf Bestellung 6095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90N08S405ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90N08S405ATMA1 | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |