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IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies


Infineon-IPD90P03P4-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ecafdb27ed
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 7500 Stücke:
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Technische Details IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPD90P03P404ATMA2 nach Preis ab 1.15 EUR bis 5.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4-04-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
auf Bestellung 2500 Stücke:
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IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4-04-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
auf Bestellung 2375 Stücke:
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91+1.92 EUR
104+1.67 EUR
108+1.56 EUR
500+1.31 EUR
2000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4-04-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
auf Bestellung 12011 Stücke:
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500+2.01 EUR
1000+1.81 EUR
10000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
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IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 INFINEON INFNS12810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.27 EUR
500+1.89 EUR
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IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4-04-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
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48+3.69 EUR
66+2.59 EUR
69+2.44 EUR
100+1.84 EUR
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500+1.29 EUR
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IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4-04-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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66+2.55 EUR
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250+1.63 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90P03P4-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ecafdb27ed Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 INFINEON INFNS12810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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70+3.32 EUR
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1000+1.88 EUR
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IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD90P03P4_04_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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10+3.64 EUR
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500+2.09 EUR
1000+1.95 EUR
2500+1.83 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Kanaltyp: p-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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66+2.59 EUR
69+2.44 EUR
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500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
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Grade: Automotive
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1495 Stücke:
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70+3.32 EUR
100+2.27 EUR
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1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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