IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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Technische Details IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPD90P03P404ATMA2 nach Preis ab 1.15 EUR bis 5.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPD90P03P404ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90P03P404ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ |
auf Bestellung 2375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90P03P404ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ |
auf Bestellung 12011 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90P03P404ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90P03P404ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ |
auf Bestellung 923 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90P03P404ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ |
auf Bestellung 923 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90P03P404ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
auf Bestellung 10986 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD90P03P404ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90P03P404ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
auf Bestellung 2141 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD90P03P404ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.73 EUR |
| IPD90P03P404ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 91+ | 1.92 EUR |
| 104+ | 1.67 EUR |
| 108+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.31 EUR |
| 2000+ | 1.18 EUR |
| IPD90P03P404ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
auf Bestellung 12011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 289+ | 2.26 EUR |
| 500+ | 2.01 EUR |
| 1000+ | 1.81 EUR |
| 10000+ | 1.58 EUR |
| IPD90P03P404ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.27 EUR |
| 500+ | 1.89 EUR |
| 1000+ | 1.88 EUR |
| IPD90P03P404ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 3.69 EUR |
| 66+ | 2.59 EUR |
| 69+ | 2.44 EUR |
| 100+ | 1.84 EUR |
| 250+ | 1.77 EUR |
| 500+ | 1.29 EUR |
| IPD90P03P404ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 3.69 EUR |
| 66+ | 2.55 EUR |
| 69+ | 2.36 EUR |
| 100+ | 1.75 EUR |
| 250+ | 1.63 EUR |
| 500+ | 1.15 EUR |
| IPD90P03P404ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 10986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 4.05 EUR |
| 10+ | 2.94 EUR |
| 100+ | 2.15 EUR |
| 500+ | 1.76 EUR |
| 1000+ | 1.74 EUR |
| IPD90P03P404ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 5.07 EUR |
| 70+ | 3.32 EUR |
| 100+ | 2.27 EUR |
| 500+ | 1.89 EUR |
| 1000+ | 1.88 EUR |
| IPD90P03P404ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 2141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.62 EUR |
| 10+ | 3.64 EUR |
| 100+ | 2.51 EUR |
| 500+ | 2.09 EUR |
| 1000+ | 1.95 EUR |
| 2500+ | 1.83 EUR |



