IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies
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Technische Details IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 137W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm.
Weitere Produktangebote IPD90P03P4L04ATMA2 nach Preis ab 1.49 EUR bis 352.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPD90P03P4L04ATMA2 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90P03P4L04ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +5V, -16V Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD90P03P4L04ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 137W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm |
auf Bestellung 1722 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90P03P4L04ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90P03P4L04ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90P03P4L04ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +5V, -16V Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V |
auf Bestellung 5504 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD90P03P4L04ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
auf Bestellung 15954 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD90P03P4L04ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 137W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm |
auf Bestellung 1722 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD90P03P4L04ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD90P03P4L04ATMA2 | Infineon Technologies |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 90 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25, Qg, нКл = 160 @ 10, Rds = 4,1 мОм @ 90 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 253 мкА, Р, Вт = 137 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікується: 520 Од. ви Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
verfügbar 90 Stücke: |
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| IPD90P03P4L04ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.49 EUR |
| IPD90P03P4L04ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.57 EUR |
| IPD90P03P4L04ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 1722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.44 EUR |
| 500+ | 1.98 EUR |
| 1000+ | 1.84 EUR |
| IPD90P03P4L04ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 4.45 EUR |
| 57+ | 3.05 EUR |
| 71+ | 2.37 EUR |
| 100+ | 2.06 EUR |
| 500+ | 1.61 EUR |
| IPD90P03P4L04ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 4.45 EUR |
| 57+ | 2.99 EUR |
| 71+ | 2.28 EUR |
| 100+ | 1.94 EUR |
| 500+ | 1.49 EUR |
| IPD90P03P4L04ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
auf Bestellung 5504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.24 EUR |
| 10+ | 3.38 EUR |
| 50+ | 2.58 EUR |
| 100+ | 2.32 EUR |
| 500+ | 1.87 EUR |
| IPD90P03P4L04ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 15954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.26 EUR |
| 10+ | 2.59 EUR |
| 100+ | 2.34 EUR |
| 500+ | 1.89 EUR |
| 1000+ | 1.83 EUR |
| 2500+ | 1.68 EUR |
| IPD90P03P4L04ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 1722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 6.4 EUR |
| 61+ | 3.86 EUR |
| 100+ | 2.44 EUR |
| 500+ | 1.98 EUR |
| 1000+ | 1.84 EUR |
| IPD90P03P4L04ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 352.51 EUR |
| IPD90P03P4L04ATMA2 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 90 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25, Qg, нКл = 160 @ 10, Rds = 4,1 мОм @ 90 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 253 мкА, Р, Вт = 137 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікується: 520 Од. ви
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 90 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25, Qg, нКл = 160 @ 10, Rds = 4,1 мОм @ 90 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 253 мкА, Р, Вт = 137 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікується: 520 Од. ви
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 90 Stücke: