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IPD90P04P405ATMA2

Infineon-IPD90P04P4-05-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129dbba2b4d5c79
Produktcode: 205599
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90P04P4-05-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129dbba2b4d5c79 Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.5 EUR
5000+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD90P04P4_05_DataSheet_v01_02_EN-3362617.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 4460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+2.31 EUR
100+1.85 EUR
250+1.83 EUR
500+1.51 EUR
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IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90P04P4-05-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129dbba2b4d5c79 Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.03 EUR
10+3.25 EUR
100+2.23 EUR
500+1.8 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 INFINEON Infineon-IPD90P04P4-05-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129dbba2b4d5c79 Description: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 INFINEON Infineon-IPD90P04P4-05-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129dbba2b4d5c79 Description: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD90P04P405ATMA2 Infineon-IPD90P04P4-05-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129dbba2b4d5c79
IPD90P04P405ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+1.5 EUR
5000+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD90P04P405ATMA2 Infineon_IPD90P04P4_05_DataSheet_v01_02_EN-3362617.pdf
IPD90P04P405ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 4460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+3.75 EUR
10+2.31 EUR
100+1.85 EUR
250+1.83 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.45 EUR
2500+1.29 EUR
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IPD90P04P405ATMA2 Infineon-IPD90P04P4-05-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129dbba2b4d5c79
IPD90P04P405ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
4+5.03 EUR
10+3.25 EUR
100+2.23 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPD90P04P405ATMA2 Infineon-IPD90P04P4-05-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129dbba2b4d5c79
IPD90P04P405ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90P04P405ATMA2 Infineon-IPD90P04P4-05-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129dbba2b4d5c79
IPD90P04P405ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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1N4448W
Produktcode: 160505
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1n4448w-sod123-datasheet.pdf
1N4448W
Hersteller: Yangjie
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-123
Urev.,V: 100 V
Iausricht.,А: 0,25 A
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 V
auf Bestellung 1967 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100 St.:
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CDRH104RNP-5R2NC (5.2uH, ±30%, Idc=5.5А, Rdc max/typ=22/16 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm) Sumida
Produktcode: 41268
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CDRH104R.pdf
CDRH104RNP-5R2NC (5.2uH, ±30%, Idc=5.5А, Rdc max/typ=22/16 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm) Sumida
Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 5,2 uH
Genauigkeit: ±30%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf gepanzerten Ferritkern, 5,2uH, ±30%, Idc=5.5А, Rdc max/typ=22/16 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm
Typ: Leistungs- SMD Ferritkern gepanzert
Abmessungen: 10,0x10,2mm, h=3,8mm
Робочий струм, А: 5,5A
№ 7: 8504 50 20 90
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPreis
1+0.6 EUR
10+0.48 EUR
100+0.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
OSRPPA5B32A 5mm; bicolour; red/green; 1600mcd; 1600mcd (Общий Анод)
Produktcode: 109991
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OSRPPA5B32A 5mm; bicolour; red/green; 1600mcd; 1600mcd (Общий Анод)
Hersteller: OptoSupply
LEDs > LEDs sichtbare Spektrum Ausführungs-
Farbe (Wellenlänge): червоний/зелений
Gehäuse: 5 mm
Linse, Typ: дифузна
Lichtstärke / Lichtstrom: 1600 mcd
Lichtwinkel: 130°
Analogon: Кругла
auf Bestellung 90 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 500 St.:
500 St. - erwartet 05.07.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Предохранитель автомобильный medium 10A (красный L-KLS5-270-010-A)
Produktcode: 178167
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kls5-270-datasheet.pdf
Предохранитель автомобильный medium 10A (красный L-KLS5-270-010-A)
Sicherungen > Sicherungen Auto
Nennstrom, А: medium (19мм)
Farbe: 10A
Verpackung, Stck.: червоний
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 12000 St.
  • 12000 St. - erwartet 06.10.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX55-C3V6
Produktcode: 17956
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BZX55.pdf
BZX55-C3V6
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 3,6
Istab.direkt,A: 0,111
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -2.4mV/K
auf Bestellung 2496 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.028 EUR
1000+0.026 EUR
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