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IPD90P04P405ATMA2

Infineon-IPD90P04P4-05-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129dbba2b4d5c79
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IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90P04P4-05-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129dbba2b4d5c79 Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.54 EUR
7500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90p04p405datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+2.27 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90p04p405datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.36 EUR
89+1.92 EUR
104+1.59 EUR
500+1.43 EUR
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Mindestbestellmenge: 73 Stücke
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IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90p04p405datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1480 Stücke:
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73+2.36 EUR
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IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 INFINEON INFN-S-A0008993435-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 13690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.36 EUR
500+1.94 EUR
5000+1.74 EUR
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IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90p04p405datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.28 EUR
61+2.8 EUR
100+2.06 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90p04p405datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.28 EUR
61+2.73 EUR
100+1.98 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 Infineon Technologies infineon_ipd90p04p4_05_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 4519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.8 EUR
10+2.53 EUR
100+2.23 EUR
500+1.82 EUR
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IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90P04P4-05-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129dbba2b4d5c79 Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.13 EUR
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50+2.52 EUR
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IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 INFINEON INFN-S-A0008993435-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 13690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.95 EUR
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100+2.36 EUR
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IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90p04p405datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPD90P04P405ATMA2 Infineon-IPD90P04P4-05-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129dbba2b4d5c79
IPD90P04P405ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
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IPD90P04P405ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1480 Stücke:
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73+2.36 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
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IPD90P04P405ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 13690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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100+2.36 EUR
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IPD90P04P405ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+4.28 EUR
61+2.8 EUR
100+2.06 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IPD90P04P405ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1008 Stücke:
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IPD90P04P405ATMA2
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MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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IPD90P04P405ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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10+3.31 EUR
50+2.52 EUR
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500+1.83 EUR
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IPD90P04P405ATMA2 INFN-S-A0008993435-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90P04P405ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 13690 Stücke:
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43+5.95 EUR
79+2.95 EUR
100+2.36 EUR
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Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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1N4448W
Produktcode: 160505
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1n4448w-sod123-datasheet.pdf
1N4448W
Hersteller: Yangjie
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-123
Urev., V: 100 В
Iausr., A: 0,25 А
Beschreibung: Schaltdiode schnell TRR: 4 ns
Montage: SMD
Spannungsabfall Vf: 1 В
auf Bestellung: 958 St.
  • 958 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.043 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.027 EUR
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CDRH104RNP-5R2NC (5.2uH, ±30%, Idc=5.5A, Rdc max/typ=22/16 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm) Sumida (Leistungsdrossel)
Produktcode: 41268
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CDRH104R.pdf
CDRH104RNP-5R2NC (5.2uH, ±30%, Idc=5.5A, Rdc max/typ=22/16 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm) Sumida (Leistungsdrossel)
Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 5,2 µH
Genauigkeit: ±30%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungsdrossel, gewickelt im gepanzerten Ferritkern, 5,2uH, ±30%, Idc=5.5A, Rdc max/typ=22/16 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm
Typ: CDRH104
Abmessungen: 10,0x10,2 mm, h=3,8 mm
Betriebsstrom, A: 5,5 A
Warennummer: 8504 50 20 90
Produkt ist nicht verfügbar
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10+0.57 EUR
100+0.43 EUR
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LED rot/grün, 5 mm, gemeinsame Anode, OSRPPA5B32A OptoSupply
Produktcode: 109991
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LED rot/grün, 5 mm, gemeinsame Anode, OSRPPA5B32A OptoSupply
Hersteller: OptoSupply
LEDs > LEDs sichtbare Spektrum Ausführungs-
Farbe (Wellenlänge): rot/grün
Gehäuse / Abmessungen: 5 мм
Linse, Typ: diffus
Lichtstärke / Lichtstrom: 1600 mcd
Abstrahlwinkel: 130°
Form: Rund
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KFZ-Sicherung medium 10A (rot L-KLS5-270-010-A)
Produktcode: 178167
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kls5-270-datasheet.pdf
KFZ-Sicherung medium 10A (rot L-KLS5-270-010-A)
Hersteller: KLS
Sicherungen > Sicherungen Auto
Größe: medium (19mm)
Nennstrom, A: 10 A
Farbe: rot
Typ: Плавкий
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BZX55-C3V6
Produktcode: 17956
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BZX55.pdf
BZX55-C3V6
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Stabilisierungsspannung Vz, V: 3,6 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: -2,4 mV/K
auf Bestellung: 2491 St.
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