Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90P04P4L04ATMA2
IPD90P04P4L04ATMA2

IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD90P04P4L-04-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7829059b2dee
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.62 EUR
5000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm.

Weitere Produktangebote IPD90P04P4L04ATMA2 nach Preis ab 1.11 EUR bis 6.05 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 INFINEON INFN-S-A0008993774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
auf Bestellung 3237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.36 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90p04p4l04datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 28504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+2.42 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.93 EUR
10000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90p04p4l04datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.49 EUR
84+2 EUR
101+1.61 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.19 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90p04p4l04datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.49 EUR
84+2.05 EUR
101+1.67 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.34 EUR
2500+1.32 EUR
5000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90p04p4l04datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.34 EUR
59+2.94 EUR
100+2.09 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.51 EUR
2500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD90P04P4L_04_DataSheet_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 3652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.28 EUR
10+3.28 EUR
100+2.43 EUR
500+2 EUR
1000+1.86 EUR
2500+1.74 EUR
5000+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90P04P4L-04-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7829059b2dee Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.43 EUR
10+3.5 EUR
100+2.4 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 INFINEON INFN-S-A0008993774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
auf Bestellung 3237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.05 EUR
66+3.55 EUR
100+2.36 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90P04P4L04ATMA2 INFN-S-A0008993774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90P04P4L04ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
auf Bestellung 3237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.36 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90P04P4L04ATMA2 infineonipd90p04p4l04datasheetv0102en.pdf
IPD90P04P4L04ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 28504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
271+2.42 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.93 EUR
10000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90P04P4L04ATMA2 infineonipd90p04p4l04datasheetv0102en.pdf
IPD90P04P4L04ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+2.49 EUR
84+2 EUR
101+1.61 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.19 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90P04P4L04ATMA2 infineonipd90p04p4l04datasheetv0102en.pdf
IPD90P04P4L04ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+2.49 EUR
84+2.05 EUR
101+1.67 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.34 EUR
2500+1.32 EUR
5000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90P04P4L04ATMA2 infineonipd90p04p4l04datasheetv0102en.pdf
IPD90P04P4L04ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+4.34 EUR
59+2.94 EUR
100+2.09 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.51 EUR
2500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon_IPD90P04P4L_04_DataSheet_v01_02_EN.pdf
IPD90P04P4L04ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 3652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.28 EUR
10+3.28 EUR
100+2.43 EUR
500+2 EUR
1000+1.86 EUR
2500+1.74 EUR
5000+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon-IPD90P04P4L-04-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7829059b2dee
IPD90P04P4L04ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.43 EUR
10+3.5 EUR
100+2.4 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90P04P4L04ATMA2 INFN-S-A0008993774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90P04P4L04ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
auf Bestellung 3237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+6.05 EUR
66+3.55 EUR
100+2.36 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH