IPD95R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
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Technische Details IPD95R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 950V, Drain current: 8.6A, Power dissipation: 104W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.45Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 35nC, Kind of package: reel, Kind of channel: enhancement, Version: ESD, Technology: CoolMOS™ P7.
Weitere Produktangebote IPD95R450P7ATMA1 nach Preis ab 3.24 EUR bis 4.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| IPD95R450P7 | Infineon Technologies | IPD95R450P7 |
auf Bestellung 2492 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R450P7 |
Hersteller: Infineon Technologies
IPD95R450P7
IPD95R450P7
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 4.13 EUR |
| 50+ | 3.92 EUR |
| 100+ | 3.7 EUR |
| 250+ | 3.51 EUR |
| 500+ | 3.37 EUR |
| 1000+ | 3.24 EUR |