IPD95R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 35nC
Version: ESD
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Technische Details IPD95R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 950V, Drain current: 8.6A, Power dissipation: 104W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.45Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Kind of package: reel, Gate charge: 35nC, Version: ESD.
Weitere Produktangebote IPD95R450P7ATMA1 nach Preis ab 3.17 EUR bis 4.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| IPD95R450P7 | Infineon Technologies | IPD95R450P7 |
auf Bestellung 2492 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD95R450P7 |
Hersteller: Infineon Technologies
IPD95R450P7
IPD95R450P7
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 4.05 EUR |
| 50+ | 3.83 EUR |
| 100+ | 3.62 EUR |
| 250+ | 3.44 EUR |
| 500+ | 3.28 EUR |
| 1000+ | 3.17 EUR |