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IPDD60R090CFD7XTMA1

IPDD60R090CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPDD60R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c00c6f04251
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 33A HDSOP-10
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1747 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.65 EUR
10+6.49 EUR
100+4.68 EUR
500+4.45 EUR
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Technische Details IPDD60R090CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPDD60R090CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.074 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 227W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: HDSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote IPDD60R090CFD7XTMA1 nach Preis ab 7.16 EUR bis 16.67 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPDD60R090CFD7XTMA1 IPDD60R090CFD7XTMA1 INFINEON 3177173.pdf Description: INFINEON - IPDD60R090CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.074 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.67 EUR
19+12.51 EUR
25+10.54 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IPDD60R090CFD7XTMA1 IPDD60R090CFD7XTMA1 INFINEON 3177173.pdf Description: INFINEON - IPDD60R090CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.074 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.67 EUR
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IPDD60R090CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPDD60R090CFD7_DataSheet_v02_00_EN-3164586.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.92 EUR
10+11.44 EUR
100+9.47 EUR
500+8.25 EUR
1000+7.19 EUR
1700+7.16 EUR
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IPDD60R090CFD7XTMA1
Hersteller: INFINEON
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Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDD60R090CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.074 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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MOSFET HIGH POWER_NEW
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