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IPDD60R125CFD7XTMA1

IPDD60R125CFD7XTMA1 INFINEON

3177171.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDD60R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.101 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 176W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.101ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.34 EUR
500+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details IPDD60R125CFD7XTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPDD60R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.101 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 176W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176W, Bauform - Transistor: HDSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.101ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote IPDD60R125CFD7XTMA1 nach Preis ab 3 EUR bis 9.17 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPDD60R125CFD7XTMA1 IPDD60R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c2ebfc642ba Description: MOSFET N-CH 600V 27A HDSOP-10
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
auf Bestellung 1688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.62 EUR
10+4.88 EUR
100+3.68 EUR
500+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPDD60R125CFD7XTMA1 IPDD60R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPDD60R125CFD7_DataSheet_v02_00_EN-2399702.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.14 EUR
10+5.3 EUR
100+3.96 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.36 EUR
1700+3 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pins
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.17 EUR
38+6.18 EUR
100+4.61 EUR
500+3.58 EUR
1000+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IPDD60R125CFD7XTMA1 Infineon-IPDD60R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c2ebfc642ba
IPDD60R125CFD7XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 27A HDSOP-10
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
auf Bestellung 1688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.62 EUR
10+4.88 EUR
100+3.68 EUR
500+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
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AnzahlPrivatkunde
1+7.14 EUR
10+5.3 EUR
100+3.96 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.36 EUR
1700+3 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDD60R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.101 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pins
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1690 Stücke:
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28+9.17 EUR
38+6.18 EUR
100+4.61 EUR
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