
IPDD60R145CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 24A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
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Anzahl | Preis |
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Technische Details IPDD60R145CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPDD60R145CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.114 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 160W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: HDSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.114ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPDD60R145CFD7XTMA1 nach Preis ab 2.49 EUR bis 6.09 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IPDD60R145CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1459 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPDD60R145CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V |
auf Bestellung 3296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPDD60R145CFD7XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPDD60R145CFD7XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 160W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: HDSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.114ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPDD60R145CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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