IPDQ60R035CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
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| Anzahl | Preis |
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| 750+ | 9.19 EUR |
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Technische Details IPDQ60R035CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPDQ60R035CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 68 A, 0.028 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 367W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPDQ60R035CFD7XTMA1 nach Preis ab 9.59 EUR bis 19.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPDQ60R035CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
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IPDQ60R035CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
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IPDQ60R035CFD7XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ60R035CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 68 A, 0.028 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 367W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPDQ60R035CFD7XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ60R035CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 68 A, 0.028 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 367W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |