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IPDQ60T017S7AXTMA1

IPDQ60T017S7AXTMA1 Infineon Technologies

Infineon_03_12_2024_IPDQ60T017S7A_Rev2_0_11_30_23-3422231.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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Technische Details IPDQ60T017S7AXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPDQ60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 113A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPDQ60T017S7AXTMA1 IPDQ60T017S7AXTMA1 Hersteller : INFINEON 4159463.pdf Description: INFINEON - IPDQ60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPDQ60T017S7AXTMA1 IPDQ60T017S7AXTMA1 Hersteller : INFINEON 4159463.pdf Description: INFINEON - IPDQ60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPDQ60T017S7AXTMA1 IPDQ60T017S7AXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies IPDQ60T017S7A_Rev2.0_11-30-23.pdf Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IPDQ60T017S7AXTMA1 IPDQ60T017S7AXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies IPDQ60T017S7A_Rev2.0_11-30-23.pdf Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
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