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IPDQ60T040S7AXTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPDQ60T040S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fb9f5b2e117de
Hersteller: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 780µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details IPDQ60T040S7AXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPDQ60T040S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.04 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 272W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS S7TA Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.

Weitere Produktangebote IPDQ60T040S7AXTMA1 nach Preis ab 9.66 EUR bis 22.37 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPDQ60T040S7AXTMA1 IPDQ60T040S7AXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ60T040S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fb9f5b2e117de Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 780µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.48 EUR
10+11.97 EUR
25+11.09 EUR
100+10.13 EUR
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IPDQ60T040S7AXTMA1 IPDQ60T040S7AXTMA1 INFINEON 4768104.pdf Description: INFINEON - IPDQ60T040S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.04 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.37 EUR
15+16.49 EUR
16+13.73 EUR
50+12.29 EUR
100+11.01 EUR
250+10.04 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IPDQ60T040S7AXTMA1 Infineon-IPDQ60T040S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fb9f5b2e117de
Hersteller: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 780µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
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100+10.13 EUR
250+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPDQ60T040S7AXTMA1 4768104.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60T040S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.04 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 750 Stücke:
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12+22.37 EUR
15+16.49 EUR
16+13.73 EUR
50+12.29 EUR
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