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IPDQ65R099CFD7XTMA1

IPDQ65R099CFD7XTMA1 INFINEON

3968266.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.087 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 186W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
auf Bestellung 1690 Stücke:
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Technische Details IPDQ65R099CFD7XTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.087 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 186W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm.

Weitere Produktangebote IPDQ65R099CFD7XTMA1 nach Preis ab 4.99 EUR bis 11.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPDQ65R099CFD7XTMA1 IPDQ65R099CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ65R099CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186e408887d77d2 Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 186W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.73 EUR
10+6.63 EUR
25+6.1 EUR
100+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPDQ65R099CFD7XTMA1 IPDQ65R099CFD7XTMA1 INFINEON 3968266.pdf Description: INFINEON - IPDQ65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.087 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 186W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
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28+8.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IPDQ65R099CFD7XTMA1 Infineon-IPDQ65R099CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186e408887d77d2
IPDQ65R099CFD7XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 186W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
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IPDQ65R099CFD7XTMA1 3968266.pdf
IPDQ65R099CFD7XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.087 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 186W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
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23+11.27 EUR
28+8.33 EUR
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