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IPF015N10N5ATMA1

IPF015N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPF015N10N5_DataSheet_v02_01_EN-3106800.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
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Technische Details IPF015N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 276A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPF015N10N5ATMA1 IPF015N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPF015N10N5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185e44205fd6df1 Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPF015N10N5ATMA1 IPF015N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPF015N10N5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185e44205fd6df1 Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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