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IPF019N12NM6ATMA1

IPF019N12NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPF019N12NM6_DataSheet_v02_00_EN-3362361.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
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Technische Details IPF019N12NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPF019N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 254A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 395W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPF019N12NM6ATMA1 IPF019N12NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF019N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701891bb4c9ee0270 Description: TRENCH >=100V
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IPF019N12NM6ATMA1 IPF019N12NM6ATMA1 INFINEON 4159888.pdf Description: INFINEON - IPF019N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 254A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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24+9.72 EUR
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Verlustleistung: 395W
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Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
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usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
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IPF019N12NM6ATMA1 Infineon-IPF019N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701891bb4c9ee0270
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Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
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Description: INFINEON - IPF019N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
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Description: INFINEON - IPF019N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
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