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Technische Details IPF031N13NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPF031N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 207 A, 0.003 ohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 135V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 207A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPF031N13NM6ATMA1 nach Preis ab 4.39 EUR bis 6.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IPF031N13NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100VPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 207A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 394W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 68 V |
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IPF031N13NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPF031N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 207 A, 0.003 ohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 207A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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IPF031N13NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPF031N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 207 A, 0.003 ohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 207A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPF031N13NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
TRENCH >=100V |
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IPF031N13NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 207A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 394W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 68 V |
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