Technische Details IPF036N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 294W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm.
Weitere Produktangebote IPF036N15NM6ATMA1 nach Preis ab 4.3 EUR bis 13.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPF036N15NM6ATMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPF036N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V |
auf Bestellung 1165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPF036N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package |
auf Bestellung 1201 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPF036N15NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 294W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPF036N15NM6ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
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Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
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auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 5.52 EUR |
| 500+ | 4.99 EUR |
| IPF036N15NM6ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Description: TRENCH >=100V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 10.47 EUR |
| 10+ | 6.97 EUR |
| 50+ | 5.47 EUR |
| 100+ | 5 EUR |
| 500+ | 4.51 EUR |
| IPF036N15NM6ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package
auf Bestellung 1201 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.52 EUR |
| 10+ | 5.51 EUR |
| 100+ | 5.02 EUR |
| 500+ | 4.55 EUR |
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| IPF036N15NM6ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
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Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 13.34 EUR |
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| 100+ | 5.52 EUR |
| 500+ | 4.99 EUR |