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IPF042N10NF2SATMA1

IPF042N10NF2SATMA1 INFINEON

3812016.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF042N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 139 A, 3700 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.32 EUR
102+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details IPF042N10NF2SATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPF042N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 139 A, 3700 µohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 139A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 167W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPF042N10NF2SATMA1 IPF042N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF042N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f49616ca62b7 Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.69 EUR
10+3.01 EUR
100+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPF042N10NF2SATMA1 IPF042N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPF042N10NF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+3.2 EUR
100+2.18 EUR
500+1.82 EUR
800+1.5 EUR
4800+1.4 EUR
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IPF042N10NF2SATMA1 IPF042N10NF2SATMA1 INFINEON 3812016.pdf Description: INFINEON - IPF042N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 139 A, 3700 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.57 EUR
70+3.32 EUR
102+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IPF042N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF042N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f49616ca62b7 Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IPF042N10NF2SATMA1 Infineon-IPF042N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f49616ca62b7
IPF042N10NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
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MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.99 EUR
10+3.2 EUR
100+2.18 EUR
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4800+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF042N10NF2SATMA1 3812016.pdf
IPF042N10NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF042N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 139 A, 3700 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+5.57 EUR
70+3.32 EUR
102+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF042N10NF2SATMA1 Infineon-IPF042N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f49616ca62b7
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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