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Technische Details IPG20N06S415ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: OptiMOS -T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 50, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPG20N06S415ATMA2 nach Preis ab 1.07 EUR bis 2.6 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPG20N06S415ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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IPG20N06S415ATMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: OptiMOS -T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 50 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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IPG20N06S415ATMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: OptiMOS -T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 50 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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IPG20N06S415ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
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IPG20N06S415ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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