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IPG20N06S4L11ATMA1

IPG20N06S4L11ATMA1 INFINEON

Infineon-IPG20N06S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf66f8b06c1e
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 22658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.76 EUR
117+1.84 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.34 EUR
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Technische Details IPG20N06S4L11ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 65W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPG20N06S4L11ATMA1 nach Preis ab 1.11 EUR bis 141.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPG20N06S4L11ATMA1 IPG20N06S4L11ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf66f8b06c1e Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 65W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Feature: Logic Level Gate
auf Bestellung 3051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.3 EUR
10+2.75 EUR
100+1.88 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPG20N06S4L11ATMA1 IPG20N06S4L11ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N06S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf66f8b06c1e Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
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Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
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Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 22658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.93 EUR
85+2.76 EUR
117+1.84 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.34 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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IPG20N06S4L11ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf66f8b06c1e Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+141.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPG20N06S4L11ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 65W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Feature: Logic Level Gate
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IPG20N06S4L11ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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Hersteller: Infineon
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