IPG20N10S4L35AATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPG20N10S4L35AATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 43W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 43W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPG20N10S4L35AATMA1 nach Preis ab 1.11 EUR bis 3.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPG20N10S4L35AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 43W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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IPG20N10S4L35AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
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IPG20N10S4L35AATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm Verlustleistung, p-Kanal: 43W euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 43W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IPG20N10S4L35AATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm Verlustleistung, p-Kanal: 43W euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 43W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IPG20N10S4L35AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
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IPG20N10S4L35AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
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IPG20N10S4L35AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
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IPG20N10S4L35AATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 43W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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