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IPI029N06NAKSA1

IPI029N06NAKSA1 Infineon Technologies

ipi029n06n_rev2.2.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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Technische Details IPI029N06NAKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPI029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2700 µohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 10V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 2.8V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Infineon Technologies ipi029n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Infineon Technologies ipi029n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Infineon Technologies IPI029N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372bab38f54926 Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
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50+2.63 EUR
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IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPI029N06N-DS-v02_05-EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A I2PAK-3
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IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 INFINEON 2354552.pdf Description: INFINEON - IPI029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2700 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 10V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 181 Stücke:
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Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
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Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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10+4.08 EUR
100+2.87 EUR
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2500+2.09 EUR
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Description: INFINEON - IPI029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2700 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 10V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
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