Technische Details IPI076N15N5AKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPI076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 5900 µohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm.
Weitere Produktangebote IPI076N15N5AKSA1 nach Preis ab 3.92 EUR bis 12.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IPI076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies |
 MOSFETs TRENCH >=100V |
auf Bestellung 439 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPI076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MV POWER MOS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube |
auf Bestellung 316 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPI076N15N5AKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPI076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 5900 µohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm |
auf Bestellung 983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPI076N15N5AKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.29 EUR |
| 10+ | 4.96 EUR |
| 100+ | 4.46 EUR |
| 500+ | 3.92 EUR |
| IPI076N15N5AKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MV POWER MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Description: MV POWER MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 9.72 EUR |
| 50+ | 5.09 EUR |
| 100+ | 4.65 EUR |
| IPI076N15N5AKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPI076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 5900 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
Description: INFINEON - IPI076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 5900 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Dauer-Drainstrom Id: 112A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 12.74 EUR |
| 35+ | 6.66 EUR |
| 100+ | 5.22 EUR |
| 500+ | 4.07 EUR |