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IPI076N15N5AKSA1

IPI076N15N5AKSA1 Infineon Technologies


1850infineon-ipi076n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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Technische Details IPI076N15N5AKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPI076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPI076N15N5AKSA1 IPI076N15N5AKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPI076N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04379f754c9 Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
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IPI076N15N5AKSA1 IPI076N15N5AKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPI076N15N5_DS_v02_00_EN-994618.pdf MOSFET TRENCH >=100V
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10+8.22 EUR
25+7.06 EUR
100+6.04 EUR
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IPI076N15N5AKSA1 IPI076N15N5AKSA1 Hersteller : INFINEON 2920459.pdf Description: INFINEON - IPI076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 986 Stücke:
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IPI076N15N5AKSA1 IPI076N15N5AKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 1850infineon-ipi076n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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