Technische Details IPI50R399CPXKSA2 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 83W; PG-TO262-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 9A, Power dissipation: 83W, Case: PG-TO262-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.399Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote IPI50R399CPXKSA2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IPI50R399CPXKSA2 | Infineon Technologies |
 MOSFET LOW POWER_LEGACY |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPI50R399CPXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 83W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 9A Power dissipation: 83W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.399Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
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| IPI50R399CPXKSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
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| IPI50R399CPXKSA2 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 83W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.399Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 83W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.399Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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