IPI530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPI530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO262-3, Case: PG-TO262-3, Mounting: THT, Technology: OptiMOS™ 3, Drain-source voltage: 150V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 53mΩ, Power dissipation: 68W, Polarisation: unipolar, Drain current: 21A, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IPI530N15N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO262-3 Case: PG-TO262-3 Mounting: THT Technology: OptiMOS™ 3 Drain-source voltage: 150V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 53mΩ Power dissipation: 68W Polarisation: unipolar Drain current: 21A Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPI530N15N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3 |
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IPI530N15N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: PFET, 21A I(D), 150V, 0.053OHM, |
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IPI530N15N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO262-3 Case: PG-TO262-3 Mounting: THT Technology: OptiMOS™ 3 Drain-source voltage: 150V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 53mΩ Power dissipation: 68W Polarisation: unipolar Drain current: 21A Kind of channel: enhanced |
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