IPI80N06S407AKSA2 Infineon Technologies
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Technische Details IPI80N06S407AKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPI80N06S407AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7400 µohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 79W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm.
Weitere Produktangebote IPI80N06S407AKSA2 nach Preis ab 1.88 EUR bis 6.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IPI80N06S407AKSA2 | Infineon |
 IPI80N06S407AKSA2 Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 TIPI80N06S4-07 |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPI80N06S407AKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS® -T2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 58A Power dissipation: 79W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 320A |
auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| IPI80N06S407AKSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPI80N06S407AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7400 µohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPI80N06S407AKSA2 |
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Hersteller: Infineon
IPI80N06S407AKSA2 Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 TIPI80N06S4-07
IPI80N06S407AKSA2 Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 TIPI80N06S4-07
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 3.3 EUR |
| IPI80N06S407AKSA2 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPI80N06S407AKSA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPI80N06S407AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7400 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
Description: INFINEON - IPI80N06S407AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7400 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 6.38 EUR |
| 80+ | 2.93 EUR |
| 100+ | 2.44 EUR |
| 500+ | 1.88 EUR |