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IPL60R065C7AUMA1

IPL60R065C7AUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPL60R065C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b090ab7b75cd
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details IPL60R065C7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL60R065C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.056 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPL60R065C7AUMA1 IPL60R065C7AUMA1 Infineon Technologies infineonipl60r065c7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.96 EUR
27+6.22 EUR
50+6.02 EUR
100+5.88 EUR
250+5.69 EUR
500+5.56 EUR
1000+5.26 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IPL60R065C7AUMA1 IPL60R065C7AUMA1 Infineon Technologies infineonipl60r065c7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.96 EUR
27+6 EUR
50+5.7 EUR
100+5.43 EUR
250+5.12 EUR
500+4.89 EUR
1000+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IPL60R065C7AUMA1 IPL60R065C7AUMA1 INFINEON 2712214.pdf Description: INFINEON - IPL60R065C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.056 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.37 EUR
250+7.22 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPL60R065C7AUMA1 IPL60R065C7AUMA1 INFINEON 2712214.pdf Description: INFINEON - IPL60R065C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.056 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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28+8.57 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
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Description: INFINEON - IPL60R065C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.056 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPL60R065C7AUMA1
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Description: INFINEON - IPL60R065C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.056 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPL60R065C7AUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
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10+11.5 EUR
100+9.32 EUR
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