IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
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Technische Details IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 201W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPL60R065P7AUMA1 nach Preis ab 4.7 EUR bis 11.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPL60R065P7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL60R065P7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL60R065P7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R |
auf Bestellung 1341 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL60R065P7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R |
auf Bestellung 5819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL60R065P7AUMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Power Dissipation (Max): 201W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 9635 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPL60R065P7AUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
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IPL60R065P7AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 201W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IPL60R065P7AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 201W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPL60R065P7AUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 4.99 EUR |
| IPL60R065P7AUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 5 EUR |
| IPL60R065P7AUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
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| Anzahl | Preis |
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| 94+ | 5.86 EUR |
| 100+ | 5.49 EUR |
| 500+ | 5.09 EUR |
| 1000+ | 4.7 EUR |
| IPL60R065P7AUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 17+ | 9.07 EUR |
| 24+ | 6.04 EUR |
| 100+ | 4.71 EUR |
| IPL60R065P7AUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 10.21 EUR |
| 10+ | 6.87 EUR |
| 100+ | 5.05 EUR |
| IPL60R065P7AUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 3621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.86 EUR |
| 10+ | 8.04 EUR |
| 100+ | 5.88 EUR |
| 500+ | 5.67 EUR |
| 1000+ | 5.32 EUR |
| IPL60R065P7AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: VSON
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPL60R065P7AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage
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Produktpalette: CoolMOS P7
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)