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IPL60R065P7AUMA1

IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies

infineon-ipl60r065p7-ds-v02_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
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Technische Details IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 201W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL60R065P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebece9815b36 Description: MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r065p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 1341 Stücke:
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94+6.97 EUR
100+6.53 EUR
500+6.06 EUR
1000+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r065p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
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24+7.2 EUR
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IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r065p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 5819 Stücke:
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17+10.81 EUR
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100+5.3 EUR
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IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPL60R065P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
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IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL60R065P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebece9815b36 Description: MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8058 Stücke:
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2+14.89 EUR
10+10.09 EUR
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IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 INFINEON INFN-S-A0003685283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 5 Stücke:
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IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 INFINEON INFN-S-A0003685283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
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100+6.53 EUR
500+6.06 EUR
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Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 5819 Stücke:
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MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 3511 Stücke:
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10+10.34 EUR
100+8.35 EUR
500+7.44 EUR
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IPL60R065P7AUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8058 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+14.89 EUR
10+10.09 EUR
100+7.38 EUR
500+7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPL60R065P7AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Dauer-Drainstrom Id: 41A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 5 Stücke:
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IPL60R065P7AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 5 Stücke:
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