IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 4.12 EUR |
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Technische Details IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 201W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPL60R065P7AUMA1 nach Preis ab 4.4 EUR bis 11.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IPL60R065P7AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL60R065P7AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL60R065P7AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R |
auf Bestellung 1341 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL60R065P7AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R |
auf Bestellung 5819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL60R065P7AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 201W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V |
auf Bestellung 9635 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPL60R065P7AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 3621 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPL60R065P7AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 201W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL60R065P7AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 201W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL60R065P7AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R |
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| IPL60R065P7AUMA1 | Hersteller : Infineon |
MOSFET N-CH 4VSON Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPL60R065P7AUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 201W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 32A Power dissipation: 201W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
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