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IPL60R075CFD7AUMA1

IPL60R075CFD7AUMA1 Infineon Technologies

infineonipl60r075cfd7dsv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
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Technische Details IPL60R075CFD7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL60R075CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.066 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 189W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPL60R075CFD7AUMA1 IPL60R075CFD7AUMA1 Infineon Technologies infineonipl60r075cfd7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
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IPL60R075CFD7AUMA1 IPL60R075CFD7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL60R075CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ea3aa6a5731ad Description: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
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IPL60R075CFD7AUMA1 IPL60R075CFD7AUMA1 Infineon Technologies infineonipl60r075cfd7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
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500+5.68 EUR
1000+5.24 EUR
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IPL60R075CFD7AUMA1 IPL60R075CFD7AUMA1 Infineon Technologies infineonipl60r075cfd7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
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26+6.62 EUR
100+4.77 EUR
500+4.56 EUR
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IPL60R075CFD7AUMA1 IPL60R075CFD7AUMA1 Infineon Technologies infineonipl60r075cfd7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.01 EUR
26+6.47 EUR
100+4.59 EUR
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Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPL60R075CFD7AUMA1 IPL60R075CFD7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL60R075CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ea3aa6a5731ad Description: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
auf Bestellung 3844 Stücke:
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2+13.89 EUR
10+9.38 EUR
100+6.83 EUR
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IPL60R075CFD7AUMA1 IPL60R075CFD7AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPL60R075CFD7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
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1+14.18 EUR
10+9.48 EUR
100+7.64 EUR
500+6.78 EUR
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IPL60R075CFD7AUMA1 IPL60R075CFD7AUMA1 INFINEON 2372024.pdf Description: INFINEON - IPL60R075CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.066 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 189W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.74 EUR
24+9.87 EUR
100+6.62 EUR
500+5.78 EUR
1000+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IPL60R075CFD7AUMA1 IPL60R075CFD7AUMA1 INFINEON 2372024.pdf Description: INFINEON - IPL60R075CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.066 ohm, VSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: VSON
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
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Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
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500+4.31 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.1A, 10V
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Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
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AnzahlPrivatkunde
2+13.89 EUR
10+9.38 EUR
100+6.83 EUR
500+6.53 EUR
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IPL60R075CFD7AUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 1578 Stücke:
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1+14.18 EUR
10+9.48 EUR
100+7.64 EUR
500+6.78 EUR
1000+6.41 EUR
3000+6.07 EUR
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IPL60R075CFD7AUMA1 2372024.pdf
IPL60R075CFD7AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R075CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.066 ohm, VSON, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 189W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
auf Bestellung 2800 Stücke:
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16+15.74 EUR
24+9.87 EUR
100+6.62 EUR
500+5.78 EUR
1000+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IPL60R075CFD7AUMA1
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Description: INFINEON - IPL60R075CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.066 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 189W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
auf Bestellung 2800 Stücke:
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16+15.74 EUR
24+9.87 EUR
100+6.62 EUR
500+5.78 EUR
1000+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH